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常見問題
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1.雪崩失效(電壓失效):當(dāng)MOSFET的漏源極電壓超過其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度時,可能會導(dǎo)致雪崩失效。這通常是由于系統(tǒng)電壓(如母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等)疊加在MOSFET漏源之間所引起的。2.導(dǎo)通電阻增大:隨著MOS管使用時間的增長,其導(dǎo)通電阻可能會逐漸增大,導(dǎo)致功耗增加和效率降低。3.閾值電壓漂移...
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MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,包括數(shù)字電路、模擬電路、功率電子、通信、計算機等領(lǐng)域。在數(shù)字電路中,MOS管常被用于構(gòu)建邏輯門、寄存器、計數(shù)器等電路;在功率電子中,MOS管可用于構(gòu)建交流電源、直流電源、電機驅(qū)動等電路;在計算機領(lǐng)域,MOS管被用于構(gòu)建存儲器、微處理器等芯片。此外,隨著現(xiàn)代通信技術(shù)的不斷進步,MOS管在通信領(lǐng)...
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在選擇MOS管時,需要考慮以下幾個因素:1.電壓:根據(jù)電路的電壓需求選擇合適的MOS管。一般來說,額定電壓越高,器件的成本就越高。2.電流:根據(jù)電路的電流需求選擇合適的MOS管。MOS管的額定電流應(yīng)能夠滿足系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時的需求。3.熱要求:根據(jù)電路的散熱情況和環(huán)境溫度選擇合適的MOS管。一些MOS管具有較低的導(dǎo)通電阻和較低...
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大晶圓和小晶圓的區(qū)別大晶圓和小晶圓的主要區(qū)別體現(xiàn)在以下幾個方面:1.尺寸:大晶圓的直徑通常比小晶圓大。例如,常見的8英寸晶圓和12英寸晶圓就被歸類為大晶圓。2.制程難度:隨著晶圓尺寸的增大,制造過程中的難度也會相應(yīng)增加。因此,大晶圓的制造成本通常比小晶圓高。3.應(yīng)用領(lǐng)域:大晶圓主要應(yīng)用于高性能、高價值的集成電路和...
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MOS管發(fā)熱的原因有多種,包括:1.溫度過高,導(dǎo)致MOS管內(nèi)部熱阻增大,電流增加。2.MOS管本身質(zhì)量差(主要是芯片、封裝等)。3.散熱不好。4.外部短路或斷路。5.過流保護動作后未切斷電路,使電流長時間過大造成過熱。6.負(fù)載過大(特別是大電阻)。7.環(huán)境溫度過高(比如在高溫車間)。8.電源電壓過低。9.電路設(shè)計的問題,讓MOS管工...