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5G電源：

      如今的許多應(yīng)用環(huán)境，如計(jì)算和存儲(chǔ)、通信交換機(jī)和路由器以及無(wú)線通信，越來(lái)越依賴于數(shù)據(jù)處理，為了滿足5G通信下龐大的數(shù)據(jù)體系，進(jìn)一步推動(dòng)了5G通信設(shè)備中功率電路的發(fā)展應(yīng)用。整個(gè)電源系統(tǒng)必須具有高能效和高密度，以提供所需的高水平電源性能。

       茂源微推出的Super-Junction MOSFET Gen.3&Split Gate Trench MOSFET 系列產(chǎn)品在保持合理的功耗下將高能效發(fā)揮到極致，全面提升了器件的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性。在優(yōu)化供電的所有關(guān)鍵方面，通過(guò)功能性升級(jí)與工藝技術(shù)優(yōu)化來(lái)降低總體成本。

       目前，茂源微已推出第二代Split Gate Trench MOSFET,相比于第一代產(chǎn)品，第二代產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻降低20%以上，ESD能力、大電流關(guān)斷能力、短路能力提升20%以上，具有更低的柵極電阻，可以滿足客戶更高能效更高可靠性的需求，產(chǎn)品的性價(jià)比進(jìn)一步提升。

通信交換機(jī)和路由器：

       隨著時(shí)代與科技的發(fā)展，互聯(lián)網(wǎng)的連接越發(fā)重要。如果沒(méi)有起連接作用的交換機(jī)和路由器，那么龐大的通信網(wǎng)絡(luò)將會(huì)癱瘓，無(wú)論是對(duì)個(gè)人還是企業(yè)都會(huì)造成無(wú)可估量的損失。通信設(shè)備安全穩(wěn)定的運(yùn)行，離不開(kāi)供電電源的高效可靠。目前，通過(guò)電源的軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)電容式能量傳輸，顯著提高48V至中間總線電壓的效率及功率密度，大為改善了整體電源的成本。

       茂源微Super Trench MOSFET系列產(chǎn)品，能實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)（低Rg），低傳導(dǎo)損耗（最優(yōu)的RDSon性能）、低開(kāi)關(guān)損耗（優(yōu)良的開(kāi)關(guān)特性），并改良了體二極管反向恢復(fù)特性，更適合應(yīng)用于軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，大為改善系統(tǒng)EMC。

基站電源：

       隨著移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)向數(shù)據(jù)化、分組化方向發(fā)展，移動(dòng)通信基站的發(fā)展趨勢(shì)也必然是寬帶化、大覆蓋面建設(shè)及IP化。市場(chǎng)對(duì)于基站電源的應(yīng)用需求也是逐漸提高，其中，通信功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的性能改善源于高壓 MOSFET 導(dǎo)通電阻的降低，為了可實(shí)現(xiàn)當(dāng)前高要求的均衡型能效目標(biāo)，市場(chǎng)也在不斷追求性能更加優(yōu)異的MOSFET。

       茂源微推出的Super-Junction MOSFET Gen.3&Super Trench MOSFET 系列產(chǎn)品在保持合理的功耗下將高能效發(fā)揮到極致，全面提升了器件的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性。在優(yōu)化供電的所有關(guān)鍵方面，通過(guò)功能性升級(jí)與工藝技術(shù)優(yōu)化來(lái)降低總體成本。

       目前，針對(duì)全橋、半橋、LLC諧振開(kāi)關(guān)等應(yīng)用，Super-Junction MOSFET推出了優(yōu)化體二極管特性的650V TF系列，使其在系統(tǒng)應(yīng)用中具有更好的EMI表現(xiàn)，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更大的余量。同時(shí)為您提供TO-263、TO-252、 TO-220. TO-220F. TO-247在內(nèi)的多款封裝外形選擇。